Опис:
Біполярний транзистор з ізольованим замком (IGBT) і захисним диодом, n-канальний, моделі FGA25N120 в корпусі TO-3P.
Характерики:
модель: FGA25N120;
виробник: Fairchild;
Тип корпусу: TO-3P;
структура: IGBT+диод;
максимальна напруга колектор-емітер: 1200 В;
максимальний струм Колектор-емітер: 50 А;
Напруження при номінальному струмі: 2 В;
Вправляюче напруження: 5,5 В;
максимальна потужність: 312 Вт;
Прямий струм діода: 25 А;
Робоча температура: - 55... +150 °C.
Комплектація:
1 шт. транзистор IGBT FGA25N120
Біполярний транзистор з ізольованим замком (IGBT) і захисним диодом, n-канальний, моделі FGA25N120 в корпусі TO-3P.
Характерики:
модель: FGA25N120;
виробник: Fairchild;
Тип корпусу: TO-3P;
структура: IGBT+диод;
максимальна напруга колектор-емітер: 1200 В;
максимальний струм Колектор-емітер: 50 А;
Напруження при номінальному струмі: 2 В;
Вправляюче напруження: 5,5 В;
максимальна потужність: 312 Вт;
Прямий струм діода: 25 А;
Робоча температура: - 55... +150 °C.
Комплектація:
1 шт. транзистор IGBT FGA25N120
Характеристики
Користувальницькі характеристики | |
---|---|
Стан | нове |
Технічний стан | справне |
Гарантія | гарантія від продавця |
Наявність | в наявності |
Інформація для замовлення
- Ціна: 50,40 ₴